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中国芯片制造商长江存储(YMTC)11月9日在美国加州北区联邦地方法院,向美国竞争对手美光(Micron)提起诉讼,指控美光侵犯8项专利。诉状称,美光利用这些专利技术,来对抗长江存储的竞争,并藉此获得、保护自己的市佔,也没有支付合理的费用来使用这些专利。
长江存储声明指出,虽然目前无法讨论未决诉讼的具体细节,但证实,长江存储近期已向加州地方法院提出诉讼,指控美光侵犯公司与3D NAND(储存型快闪记忆体)设计、制造和销售相关的专利。长江存储发言人表示,公司致力于追求进步和产品创新,同时也坚定的保护自身的智慧财产权,有信心这一案件能尽速解决。
中国宣称 记忆体已领先全球
中国分析师表示,长江存储最新的行动,是中国记忆体芯片企业正式对美国芯片商发起反击的重要事件,也代表中企在记忆体芯片领域“领先全球”,完全摆脱美国制裁。
以两家公司的技术来看,长江存储在2018年量产了第一代32层3D NAND,2020年研发出128层3D NAND产品,并在去年8月宣布推出232层3D NAND,但随后在2022年10月,美国政府公佈出口管制,限制芯片制造设备出口中国;美光则是市场长期公认的3D NAND技术领导厂商,2020年量产176层3D NAND,并在2022年推出232层3D NAND。
美光在中国市场比重 迅速殒落
中国曾是美光最大的市场,美光2017会计年度营收为200亿美元,其中半数来自中国。到了2022年,美光在中国市场销售额缩减33亿美元,佔整体比重剩11%。美光在当时的年报中曾提到,北京可能会出手限制美光参与中国市场,或是可能阻止美光与中企进行有效的竞争,美光也在同年关闭了上海的DRAM(动态随机存取记忆体)业务。
近年来,美国以国安为由,扩大了向中国出口芯片制造技术的限制,长江存储也被列入出口黑名单。作为对美方的反击,中国当局在今年3月底宣布对美光的产品进行网络安全审查。中国5月表示,美光产品并未通过安全审查,并禁止关键基础设施营运商购买美光产品。
中国曾与联电合作开发DRAM 遭美光控侵权
中国过去因缺乏DRAM技术,2016年找上联电(2303)与福建晋华合作,共同开发DRAM製程,由福建晋华出资,委任联电在南科厂开发製程技术,后移转给晋华量产,当时也延揽多名原任职美光的主管、工程师跳槽。虽然联电和福建晋华的合作,因美中科技战被迫中止,却也掀起后续的官司战。
美光在2017年底控告晋华和联电,透过挖角前美光员工窃取公司芯片设计;隔年晋华和联电则在中国反告美光专利侵权,2018年7月美光在福建法院败诉,当时美光被禁止在中国销售26种产品。后来,美国商务部也以经济间谍罪起诉晋华、联电。
在诉讼缠斗将近5年时间后,2021年底,美光与联电共同宣布,达成全球官司和解协议,各自撤回向对方提出的诉讼,随后也扩大双方业务合作关係。
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